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IRFS650B_FP001

描述MOSFET 200V N-Ch B-FET漏极连续电流15.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.085 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220F封装Tube
下降时间195 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散50 W上升时间240 ns
工厂包装数量50典型关闭延迟时间295 ns

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