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  • IRFS9N60ATRL

IRFS9N60ATRL

  • 制造商:-
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 5.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs49nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
功率 - 最大170W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)

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