描述 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | 漏极连续电流 | 4.8 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.8 Ohms | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | IPAK | 封装 | Tube |
下降时间 | 13 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 22 ns |
工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
【Fairchild Semiconductor】IRFU220_R4941,MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】IRFU220BTU_AM002,MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】IRFU220BTU_F080,MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】IRFU220BTU_FP001,MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
【International Rectifier】IRFU220NPBF,MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK