| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | TO-251AA | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFU420 |
mhz×5=150mhz；jp3为mcbsp多引脚，其中用到了mdxa口，其他引脚在该发射编码程序中暂且不用。引脚spiclka、scitxda、spistea、mdxa还具有跳线设置功能，只有当scitxda设置为高电平，系统从flash开始执行程序。该芯片内部集成了看门狗，方便调试、节省资源。xmp/mc一般拉地，则该芯片就可认为是微计算机器状态，无须外扩flash和ram。 连续128位的编码激励信号经过dsp的mdxa口发出之后，送入sn75372非门进行电压提升。提升的电压可以驱动irfu420 nmos管，在mos管源极下拉电阻并在源极处取电压送入探头。当开始产生回波信号时，nmos截止，回波信号送入运算放大器ad8048同向放大，放大倍数为。为了改善放大部分的波形，在运放输出端加小电容滤波，去除尖锐沿，如图2。 2.3 软件系统设计 2.3.1 程序设计流程描述 dsp编码发射程序是在ccs2.0环境下实现的。整个系统过程包括程序代码的编写、程序调试以及在线将程序下载到片内flash中。 ccs（code composer studio）是ti开发的一个完整的ds ...
