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IRFW830BTM

描述MOSFET 500V N-Channel B-FET漏极连续电流4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间45 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.9 S
最小工作温度- 55 C功率耗散3.13 W
上升时间40 ns工厂包装数量750
典型关闭延迟时间85 ns零件号别名IRFW830BTM_NL

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