描述 | MOSFET MOSFET, 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220AB | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 14 mOhms |
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配置 | Single | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 130 W |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
头,另一端接在开关管s1及s2的中点。控制s1及s2轮流导通,在变压器原边形成高频的交流电压,经过变压器升压、整流和滤波在电容c1上得到约370 v直流电压。对s3~s6组成的逆变桥采用正弦脉宽调制,逆变输出电压经过电感l、电容c2滤波后,最终在负载上得到220 v、50 hz的正弦波交流电。采用高频变压器实现前后级之间的隔离,有利于提高系统的安全性。 输入电压10.5~15 v,输入最大电流15 a,考虑一倍的余量,推挽电路开关管s1及s2耐压不小于30 v,正向电流不小于30 a,选用irfz48n。 升压高频变压器的设计应满足在输入电压最低时,副边电压经整流后不小于逆变部分所需要的最低电压350 v,同时输入电压最高时,副边电压不能过高,以免损坏元器件。同时也必须考虑绕线上的电压降和发热问题。选ee型铁氧体磁芯,原副边绕组为7匝:300匝。关于高频变压器的设计可以参考文献。 变压器副边输出整流桥由4个her307组成.滤波电容选用68μf、450 v电解电容。 根据输出功率的要求,输出电流有效值为0 6~o.7 a,考虑一定的电压和电流余量,逆变桥中的s3~s6选用ir ...
间抽头,另一端接在开关管s1及s2的中点。控制s1及s2轮流导通,在变压器原边形成高频的交流电压,经过变压器升压、整流和滤波在电容c1上得到约370 v直流电压。对s3~s6组成的逆变桥采用正弦脉宽调制,逆变输出电压经过电感l、电容c2滤波后,最终在负载上得到220 v、50 hz的正弦波交流电。采用高频变压器实现前后级之间的隔离,有利于提高系统的安全性。 输入电压10.5~15 v,输入最大电流15 a,考虑一倍的余量,推挽电路开关管s1及s2耐压不小于30 v,正向电流不小于30 a,选用irfz48n。 升压高频变压器的设计应满足在输入电压最低时,副边电压经整流后不小于逆变部分所需要的最低电压350 v,同时输入电压最高时,副边电压不能过高,以免损坏元器件。同时也必须考虑绕线上的电压降和发热问题。选ee型铁氧体磁芯,原副边绕组为7匝:300匝。 变压器副边输出整流桥由4个her307组成.滤波电容选用68μf、450 v电解电容。 根据输出功率的要求,输出电流有效值为0 6~o.7 a,考虑一定的电压和电流余量,逆变桥中的s3~s6选用irf840。逆变部分采用单极性spwm控制方式, ...
【International Rectifier】IRFZ48NL,MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
【International Rectifier】IRFZ48NLPBF,MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
【International Rectifier】IRFZ48NPBF,MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
【International Rectifier】IRFZ48NSPBF,MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
【International Rectifier】IRFZ48NSTRLPBF,MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
【International Rectifier】IRFZ48NSTRR,MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
【International Rectifier】IRFZ48NSTRRPBF,MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK