| 描述 | IGBT FAST 600V 16A TO-220AB | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
|---|---|---|---|
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2V @ 15V，9A | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 16A |
| 功率 - 最大 | 60W | 输入类型 | 标准型 |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRG4BC20F |
，al2o3——sio2——si。 以上措施，对低压微功耗的微电子的应用，已证明mos与mosic是可靠的。但是对于电力电子应用的场合：高电压，大电流和工作温度范围较宽。特别是，静电放电电压接近栅极击穿电压而又未穿栅极时，例如上文所示接近100v时，仍有隐忧： （1） 较高栅电压下，阈值电压漂移较大，图3示出p沟硅栅mos在高栅电压下的。由图3可见，栅电压vg=40v时，=4v。 （2） pt—igbt在高温栅偏压下阈值电压漂移。图4给出pt—igbt（irg4bc20f）在（1）栅已射极gge=20v，vce=ov（htgb）和（2）vge=0v，vce=0.8v(htrb)在140℃，经过1200小时的应力试验结果。由图4中的htgb曲线可见，栅偏置试验开始后100小时内，时线性增加，随后趋于稳定。 （3） 电可擦只读存贮器（electrically erasable read-only memory，简称eerom）的存贮单元是氮化硅（si3n4）—二氧化硅(sio2)构成的双层绝缘栅的mos管，它利用栅极注入电荷来改变rom存贮单元的状 ...
【International Rectifier】IRG4BC20FD,IGBT FAST 600V 16A TO-220AB
【International Rectifier】IRG4BC20FDPBF,IGBT N-CH W/DIO 600V 16A TO220AB
【International Rectifier】IRG4BC20FD-S,IGBT FAST 600V 16A D2PAK
【International Rectifier】IRG4BC20FD-SPBF,IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK
【International Rectifier】IRG4BC20FD-STRL,IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK
【International Rectifier】IRG4BC20FD-STRR,IGBT FAST 600V 16A RIGHT D2PAK
【International Rectifier】IRG4BC20FPBF,IGBT N-CH DIODE 600V 16A TO220AB
【International Rectifier】IRG4BC20F-S,IGBT FAST 600V 16A TO-220-3