IRG4BC20SD

5℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的耐用性，这些功率器件也经过100%钳位电感负载测试。 与高侧不同，通态耗损支配了低侧igbt。因为低侧晶体管的工作频率只有60hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面igbt是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60hz进行开关，这些igbt要通过采用标准速度平面igbt来达到的最低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面igbt的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度igbt irg4bc20sd因此成为低功率器件的最好选择。一个第四代igbt与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为最低饱和电压和低工作频率(<1khz)进行优化。在10a下的典型vce(on)为1.4v。针对低正向降压及反向漏电流，跨越低侧igbt的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到最低。 逆变器效率 图2展示了系统层面的全桥功率逆变器电路。就如图中所示，h桥的每一支管脚由高电流、高速栅极驱动器ic，以及独立低和高侧参考输出通道所驱动。驱动器irs2106spbf的浮动通道容 ...

速沟道型igbt可以提供正方形反向偏置工作区和175°的最大结点温度，并能承受4倍的额定电流。 与高压端器件不同，导通损耗是低压端igbt的主要因素。因为低压端晶体管的工作频率只有60hz，所以这些器件的开关损耗不是很明显。标准速度的平面igbt是专门针对低频率和低导通损耗优化了的器件。因此当低压端器件开关频率为60hz时，这些低压端器件可以使用标准速度的平面igbt实现最低功率损耗。 由于这些器件的开关损耗不大，所以不会影响标准速度平面igbt的总功率损耗。因此，标准速度igbt irg4bc20sd是低压端功率器件的正确选择。 封装内集成了超快速、软恢复、反平行二极管的第四代igbt，针对最小饱和电压与低工作频率(<1khz)作了优化，典型的vce(on)在电流为10a时是1.4v。跨接低压端igbt的同封装二极管具有特别低的前向电压降和反向泄漏电流，可以使续流(freewheeling)和反向恢复期间的损耗达到最小。 这个设计中的开关技术具有如下优势：通过允许高压端和低压端igbt独立优化实现很高的效率；高压端、同封装的软恢复二极管没有续流时间，从而消除了不必要的开关损 ...