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IRL3102

描述MOSFET N-CH 20V 61A TO-220ABFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 37A,7VId 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
功率 - 最大89W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB
包装管件其它名称*IRL3102

“IRL3102”技术资料

  • 同步整流技术及其在DC/DC变换器中的应用

    在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率mosfet做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。 为满足高频、大容量同步整流电路的需要,近年来一些专用功率mosfet不断问世,典型产品有fairchild公司生产的nds8410型n沟道功率mosfet,其通态电阻为0.015ω。philips公司生产的si4800型功率mosfet是采用trenchmostm技术制成的,其通、断状态可用逻辑电平来控制,漏-源极通态电阻仅为0.0155ω。ir公司生产的irl3102(20v/61a)、irl2203s(30v/116a)、irl3803s(30v/100a)型功率mosfet,它们的通态电阻分别为0.013ω、0.007ω和0.006ω,在通过20a电流时的导通压降还不到0.3v。这些专用功率mosfet的输入阻抗高,开关时间短,现已成为设计低电压、大电流功率变换器的首选整流器件。 最近,国外ic厂家还开发出同步整流集成电路(sric)。例如,ir公司最近推出的ir1176就是一种专门用于驱动n沟道功率mosfet的高速cmos控制器。ir1176可 ...

  • 低压大电流开关电源的设计

    图1 有源钳位同步整流正激式电路图 图2 有源钳位电路工作原理图 2.2 同步整流技术 在低电压大电流功率变换器中,若采用传统的普通二极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大(低压硅二极管正向压降约0.7v,肖持基二极管正向压降约0.45v,新型低电压肖特基二极管可达0.32v),整流损耗成为变换器的主要损耗,无法满足低电压大电流开关电源高效率,小体积的需要。 mosfet导通时的伏安特性为一线性电阻,称为通态电阻rds,低压mosfet新器件的通态电阻很小,如:irl3102(20v,61a)、irl2203s(30v,116a)、irl3803s(30v,100a)通态电阻分别为0.013ω、0.007ω和0.006ω,它们在通过20a电流时,通态压降不到0.3v。另外,功率mosfet开关时间短,输入阻抗高,这些特点使得mosfet成为低电压大电流功率变换器首选的整流器件。功率mosfet是一种电压型控制器件,它作为整流元件时,要求控制电压与待整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称为同步整流电路。图1为典型的降压型“同步”开关变换器电路(当电路中无sr时, ...

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