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IRL3502S

描述MOSFET N-CH 20V 110A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 64A,7VId 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 15V
功率 - 最大140W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件其它名称*IRL3502S

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