| 描述 | MOSFET P-CH 20V 24A TO262 | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 12A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 44 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1460 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-262 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【International Rectifier】IRL5602SPBF,MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
【International Rectifier】IRL5602STRL,MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
【International Rectifier】IRL5602STRLPBF,MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
【International Rectifier】IRL5602STRR,MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
【International Rectifier】IRL5602STRRPBF,MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
