| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.1V @ 10?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
