| 描述 | MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 209A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 毫欧 @ 123A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 150μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 111 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6904 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DirectFET? Isometric ME |
| 封装/外壳 | DirectFET? Isometric ME |
【International Rectifier】IRL7833LPBF,MOSFET N-CH 30V 150A TO-262
【International Rectifier】IRL7833PBF,MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
【International Rectifier】IRL7833S,MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
【International Rectifier】IRL7833SPBF,MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
【International Rectifier】IRL7833STRLPBF,MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
【International Rectifier】IRL7833STRRPBF,MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
【International Rectifier】IRL8113,MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
