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  • IRLHS6376TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 400$0.2275
  • 800$0.21296
  • 1200$0.20113
  • 2800$0.18845
  • 10000$0.1733
描述MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFNFET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10?A闸电荷(Qg) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V功率 - 最大1.5W
安装类型表面贴装封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-PQFN(2x2)包装带卷 (TR)
其它名称IRLHS6376TR2PBF-NDIRLHS6376TR2PBFTR

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