| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 5.9A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 40W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRLI640G |
