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  • IRLM210ATF

IRLM210ATF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C770mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 390mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds240pF @ 25V功率 - 最大1.8W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装SOT-223-3包装带卷 (TR)

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