| 描述 | MOSFET | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 15 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT23-3-901 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
【International Rectifier】IRLML6402GTRPBF,MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML6402TR,MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
【International Rectifier】IRLML6402TRPBF,MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
【International Rectifier】IRLML9301TRPBF,MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML9303TRPBF,MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLMS1503TR,MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
