描述 | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 22 nC @ 5 V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1310 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6?(SOT23-6) |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
【International Rectifier】IRLMS2002GTRPBF,MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl
【International Rectifier】IRLMS2002TR,MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS2002TRPBF,MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS4502TR,MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS5703TR,MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS5703TRPBF,MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS6702TR,MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
【International Rectifier】IRLMS6702TRPBF,MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP