| 描述 | N-CHANNEL 100V | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 2.6A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.1 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
【Fairchild Semiconductor】IRLR120ATF,MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】IRLR120ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【International Rectifier】IRLR120NPBF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【International Rectifier】IRLR120NTRLPBF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【International Rectifier】IRLR120NTRPBF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【International Rectifier】IRLR120NTRR,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
