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  • IRLR210ATF

IRLR210ATF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 1.35A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds240pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)

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