描述 | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.45V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 10V |
功率 - 最大 | 89W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRLR3717TRRPBF,MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
【International Rectifier】IRLR3802PBF,MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
【International Rectifier】IRLR3802TRLPBF,MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
【International Rectifier】IRLR3802TRPBF,MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
【International Rectifier】IRLR3915PBF,MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
【International Rectifier】IRLR3915TRPBF,MOSFET N-CH 55V 30A DPAK