| 描述 | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫欧 @ 15A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4010pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 140W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRLR7833 |
断地减小，所以，总的负载电流是减小的。 在模式4[t3－t4]后，接着就进入下一个周期。 3 实验及结果 在前面分析的拓扑基础上，完成了一个输入为dc 36v，输出为1v/25a的dc/dc变换器。这个电路中所用到的参数见表1所列，其中所有的参数和图1的主电路中所标注的是相对应的。 表1 实验参数 项目 参数或型号 输入(vin) dc36v 输出(vo/io) dc 1v/25a s1，s2 irlu2905 sr1，sr2 irlr7833 lo1，lo2 2.2μh co 1500μf/2.5v 磁芯(core) r－42216－ec 匝比(turnratio) 10：1 漏感(lk) 600nh 开关频率(fs) 310khz 图4所示的是原边两个主管和副边同步管的门极驱动波形。通道r2表示s1的驱动波形；通道r1表示s2的驱动波形；通道1是同步管sr2的驱动波形；通道2是同步管sr1的驱动波形。由表1可以看到，变压器漏感lk=600nh。所以，在电流较小的时候，存储在漏 ...
【International Rectifier】IRLR7833CPBF,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
【International Rectifier】IRLR7833PBF,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
【International Rectifier】IRLR7833TR,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
【International Rectifier】IRLR7833TRL,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
【International Rectifier】IRLR7833TRLPBF,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
【International Rectifier】IRLR7833TRPBF,MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
