描述 | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.95 毫欧 @ 148A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 83 nC @ 4.5 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8020 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 195W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
【International Rectifier】IRLS4030-7PPBF,MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
【International Rectifier】IRLS4030PBF,MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
【International Rectifier】IRLS4030TRL7PP,MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
【International Rectifier】IRLS4030TRLPBF,MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLS510A,MOSFET N-CH 100V 4.5A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】IRLS520A,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level