描述 | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 42A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
功率 - 最大 | 110W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRLU2905Q853121 |
流管。图4所示的是负载电流io=20a时的变压器原边电压波形以及两个同步管驱动波形。当原边开关管关断时,存在于漏感中的能量足够以开通两个同步管。然而同步管的关断只能通过外加驱动信号来实现。它们分别来自于原边开关管的门极驱动vg1和vg2。图5是测得的变流器的效率曲线图。 表1 实验电路参数 参 数 数 值 输入电压vin dc48v 输出电压vo 1v 输出电流io 20a 工作频率fs 315khz c1,c2 63v/100μf s1,s2 irlu2905 sr1,sr2 irlr7843 sa1,sa2 irlu120 da1,da2 in4148 磁芯(core) r-42216-ec 气隙(lg) 0.09mm 原边激磁电感l 76μh 原边漏感lk 0.8μh 变比np:ns 10:01 变比ns:na 5:01 3 结语 倍流同步整流拓扑在大电流变流器中的应用越来越广泛,但是,传统的结构上存在着磁性元件较多,体积较大等缺点,为了克服这些不足之处,磁集成技术早已经应用在 ...
,存在于漏感中的能量足够以开通两个同步管。然而同步管的关断只能通过外加驱动信号来实现。它们分别来自于原边开关管的门极驱动vg1和vg2。图5是测得的变流器的效率曲线图。 表1 实验电路参数 参 数 数 值 输入电压vin dc48v 输出电压vo 1v 输出电流io 20a 工作频率fs 315khz c1,c2 63v/100μf s1,s2 irlu2905 sr1,sr2 irlr7843 sa1,sa2 irlu120 da1,da2 in4148 磁芯(core) r-42216-ec 气隙(lg) 0.09mm 原边激磁电感l 76μh 原边漏感lk 0.8μh 变比np:ns 10:1 变比ns:na 5:1 3 结语 倍流同步整流拓扑在大电流变流器中的应 ...
管都被触发导通。两个输出电感上的电流都在不断地减小,所以,总的负载电流是减小的。 在模式4[t3-t4]后,接着就进入下一个周期。 3 实验及结果 在前面分析的拓扑基础上,完成了一个输入为dc 36v,输出为1v/25a的dc/dc变换器。这个电路中所用到的参数见表1所列,其中所有的参数和图1的主电路中所标注的是相对应的。 表1 实验参数 项目 参数或型号 输入(vin) dc36v 输出(vo/io) dc 1v/25a s1,s2 irlu2905 sr1,sr2 irlr7833 lo1,lo2 2.2μh co 1500μf/2.5v 磁芯(core) r-42216-ec 匝比(turnratio) 10:1 漏感(lk) 600nh 开关频率(fs) 310khz 图4所示的是原边两个主管和副边同步管的门极驱动波形。通道r2表示s1的驱动波形;通道r1表示s2的驱动波形;通道1是同步管sr2的驱动波形;通道2是同步管sr1的驱动波形。由表1可以看到,变压器漏感lk=6 ...
【International Rectifier】IRLU2905Z,MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
【International Rectifier】IRLU2905ZPBF,MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
【International Rectifier】IRLU3103PBF,MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
【International Rectifier】IRLU3110ZPBF,MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
【International Rectifier】IRLU3114ZPBF,MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK