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IRLW630ATM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 9A I2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 4.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds755pF @ 25V
功率 - 最大3.1W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装带卷 (TR)

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