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  • IRS2153DPBF

IRS2153DPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.93
  • 10$1.251
  • 25$1.1368
  • 50$1.0226
  • 100$0.9573
描述IC DVR HALF BRIDGE SELF OSC 8DIP输入类型自振荡
延迟时间-电流 - 峰180mA
配置数1输出数2
高端电压 - 最大(自引导启动)600V电源电压10 V ~ 15.4 V
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型通孔
封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)供应商设备封装8-DIP
包装管件

“IRS2153DPBF”技术资料

  • IR发布自激式电子镇流器照明控制IC

    确保高端浮动电压能够正确切换高端栅极驱动器输出,从而保护外部mosfet。 irs2153d是基于ir2153x产品系列而设计,将“555”型振荡器与一个600v半桥栅极驱动器集成在一起,以驱动两个输出场效应管或igbt。该器件采用ir专有的hvic技术制造,最适用于设计驱动mosfet和igbt的半导体产品。其中,栅极驱动器输出的设计采用了一个免闭锁cmos电路。该技术将一个低压驱动器与一个用于高端和低端栅极驱动器的高压电平转换器集成在单片ic中。 新元件已经开始供货,其中包括irs2153dpbf、irs2153dspbf和irs2153dstrpbf等不同型号,均有管式或带式包装可供选择。所有器件均不含铅,并且符合rohs《电子产品有害物质限制指令》。 来源:小草 ...

  • IR发布自激式电子镇流器照明控制IC,振荡频率精度达3%

    浮动电压能够正确切换高端栅极驱动器输出,从而保护外部mosfet。 irs2153d是基于ir2153x产品系列而设计,将“555”型振荡器与一个600v半桥栅极驱动器集成在一起,以驱动两个输出场效应管或igbt。该器件采用ir专有的hvic技术制造,最适用于设计驱动mosfet和igbt的半导体产品。其中,栅极驱动器输出的设计采用了一个免闭锁cmos电路。该技术将一个低压驱动器与一个用于高端和低端栅极驱动器的高压电平转换器集成在单片ic中。 新元件已经开始供货,其中包括irs2153dpbf、irs2153dspbf和irs2153dstrpbf等不同型号,均有管式或带式包装可供选择。所有器件均不含铅,并且符合rohs《电子产品有害物质限制指令》。 来源:小草 ...

irs2153dpbf的相关型号: