| 描述 | IC DRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | DRAM - FP |
| 存储容量 | 16Mb | 存储器组织 | 1M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 25 ns |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
【ISSI】IS41C16256C-35TLI,动态随机存取存储器 4M, 5V, EDO 动态随机存取存储器 35ns, 40 pin TSOP II
【ISSI】IS41C16256C-35TLI-TR,动态随机存取存储器 4M, 5V, EDO 动态随机存取存储器 Async,256Kx16,35ns
【ISSI】IS41C16257C-35TLI,动态随机存取存储器 4M 5V FastPageMode 35ns, 40 pin TSOP II
【ISSI】IS41C16257C-35TLI-TR,动态随机存取存储器 4M,5V,Fast Page Mode 动态随机存取存储器,Async,35ns
