描述 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 |
存储容量 | 128Mb | 存储器组织 | 8M x 16 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 133 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 6 ns |
电压 - 供电 | 2.3V ~ 2.7V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TFBGA |
供应商器件封装 | 54-TFBGA(8x8) |
【ISSI】IS42RM32160C-75BL,动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器, 2.5v
【ISSI】IS42RM32160C-75BLI,动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器, 2.5v
【ISSI】IS42RM32160C-75BLI-TR,动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器, 2.5v
【ISSI】IS42RM32160C-75BL-TR,动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器, 2.5v