| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 |
| 存储容量 | 256Mb | 存储器组织 | 8M x 32 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 133 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 5.4 ns |
| 电压 - 供电 | 2.3V ~ 2.7V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 90-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 90-TFBGA（8x13） |
【ISSI】IS42RM32800E-6BLI,动态随机存取存储器 256M2.5V MobileS动态随机存取存储器 166Mhz, 90 ball BGA
【ISSI】IS42RM32800E-6BLI-TR,动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,166Mhz
【ISSI】IS42RM32800E-75BLI,动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,133Mhz
【ISSI】IS42RM32800E-75BLI-TR,动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,133Mhz
