描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM |
存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 64M x 8 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 166 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 5.4 ns |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
供应商器件封装 | 54-TSOP II |
【ISSI】IS42SM16160D-7BL,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM16160D-7BLI,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM16160D-7BLI-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM16160D-7BL-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v