描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
---|---|---|---|
存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 |
存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 16M x 32 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 166 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 5.5 ns |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 90-TFBGA |
供应商器件封装 | 90-TFBGA(8x13) |
【ISSI】IS42SM32200G-75BLI,动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM32200G-75BLI-TR,动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 133MHz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM32200K-6BLI,动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS42SM32200K-6BLI-TR,动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器 3.3v