| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 |
| 存储容量 | 256Mb | 存储器组织 | 16M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 125 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 6 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
【ISSI】IS42VM16160E-6BLI,动态随机存取存储器 256M1.8V MobileS动态随机存取存储器 166Mhz, 54 ball BGA
【ISSI】IS42VM16160E-6BLI-TR,动态随机存取存储器 256M,1.8V,MobilS动态随机存取存储器 166Mhz,54 ball BGA
【ISSI】IS42VM16160E-75BLI,动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile S动态随机存取存储器,16Mx16,133Mhz
【ISSI】IS42VM16160E-75BLI-TR,动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile S动态随机存取存储器,16Mx16,133Mhz
