| 描述 | 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1. | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 LPDDR4X |
| 存储容量 | 8Gb | 存储器组织 | 256M x 32 |
| 存储器接口 | LVSTL | 时钟频率 | 1.6 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 18ns | 访问时间 | 3.5 ns |
| 电压 - 供电 | 1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 200-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 200-TFBGA（10x14.5） |
