| 描述 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储容量 | 2Gb | 存储器组织 | 64M x 32 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 5 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 90-LFBGA |
| 供应商器件封装 | 90-WBGA（8x13） |
【ISSI】IS43LR32800F-6BL,动态随机存取存储器 256M 1.8V Mobile DDR 166Mhz, 90 ball BGA
【ISSI】IS43LR32800F-6BLI,动态随机存取存储器 256M1.8V MobileS动态随机存取存储器 166Mhz, 90 ball BGA
【ISSI】IS43LR32800F-6BLI-TR,动态随机存取存储器 256M,1.8V,Mobile DDR 166Mhz,90 ball BGA
【ISSI】IS43LR32800F-6BL-TR,动态随机存取存储器 256M,1.8V,MobileDDR 166Mhz,90 ball BGA
