| 描述 | 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR4 |
| 存储容量 | 4Gb | 存储器组织 | 512M x 8 |
| 存储器接口 | POD | 时钟频率 | 1.2 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 19 ns |
| 电压 - 供电 | 1.14V ~ 1.26V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 78-TWBGA（10x14） |
【ISSI】IS43R16160B-5BL,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160B-5BLI,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160B-5BLI-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160B-5BL-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160B-5TL,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
