| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储容量 | 256Mb | 存储器组织 | 16M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 700 ps |
| 电压 - 供电 | 2.3V ~ 2.7V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 60-TFBGA（8x13） |
【ISSI】IS43R16160D-6BL,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6BLI,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6BLI-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6BL-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6TL,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6TLI,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R16160D-6TLI-TR,动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
