| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储容量 | 256Mb | 存储器组织 | 32M x 8 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 700 ps |
| 电压 - 供电 | 2.3V ~ 2.7V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm） |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP II |
【ISSI】IS43R86400D-5BL,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5BLI,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5BLI-TR,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5BL-TR,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5TL,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5TLI,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5TLI-TR,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
【ISSI】IS43R86400D-5TL-TR,动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz DDR 2.5v
