| 典型上升时间 | 4μs | 典型下落时间 | 3μs |
|---|---|---|---|
| 典型前向电压 | 1.2V | 功能 | 晶体管和光电池输出型光耦合器 |
| 安装 | 贴片 | 插脚数 | 4 |
| 最大上升时间 | 18μs | 最大下落时间 | 18μs |
| 最大前向电压 | 1.4V | 最大功率耗散 | 170mW |
| 最大工作温度 | 100°C | 最大输入电流 | 50mA |
| 最大逆向电压 | 5V | 最大集电极发射器电压 | 300V |
| 最小工作温度 | -55°C | 最小转移电流比 | 1000% |
| 最小隔离电压 | 3750Vrms | 每芯片通道数目 | 1 |
| 输入类型 | 直流 | 输出类型 | 直流 |
| 输出装置 | 复合晶体管 |
【ISSI】IS45S16100C1-7BLA1,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz Automotive Temp
【ISSI】IS45S16100C1-7BLA1-TR,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp
【ISSI】IS45S16100C1-7TLA1,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp
【ISSI】IS45S16100C1-7TLA1-TR,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp
【ISSI】IS45S16100E-7BLA1,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16100E-7BLA1-TR,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16100E-7TLA1,动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v