| 描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 32M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 143 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 5.4 ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 54-TFBGA（8x13） |
【ISSI】IS45S16320D-7CTLA1,动态随机存取存储器 Auto(-40 to +85C) 143MHz, 54 pin
【ISSI】IS45S16320D-7CTLA1-TR,动态随机存取存储器 Automotive,512M,3.3V S动态随机存取存储器,32Mx16,143MHz
【ISSI】IS45S16320D-7CTLA2,动态随机存取存储器 Auto(-40 to +85C) 143MHz, 54 pin
【ISSI】IS45S16320D-7CTLA2-TR,动态随机存取存储器 Automotive,512M,3.3V S动态随机存取存储器,32Mx16,143MHz
