| 描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 32M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 143 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 5.4 ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
【ISSI】IS45S16400E-6TLA1,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 166MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16400E-6TLA1-TR,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 166MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16400E-7TLA1,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16400E-7TLA1-TR,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS45S16400E-7TLA2,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz Automotive Temp
【ISSI】IS45S16400E-7TLA2-TR,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz Automotive Temp
