| 描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 32M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 333 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 450 ps |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 84-TWBGA（8x12.5） |
【ISSI】IS46DR16640A-25DBLA2,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-25DBLA2-TR,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-25EBLA1,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-25EBLA1-TR,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-3DBLA1,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-3DBLA1-TR,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
【ISSI】IS46DR16640A-3DBLA2,动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
