描述 | RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Co | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | RLDRAM 2 |
存储容量 | 288Mb | 存储器组织 | 16M x 18 |
存储器接口 | HSTL | 时钟频率 | 400 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 20 ns |
电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 144-TFBGA |
供应商器件封装 | 144-TWBGA(11x18.5) |
【ISSI】IS49NLC18320-25B,动态随机存取存储器 576Mbit x18 Common I/O 400MHz Leaded
【ISSI】IS49NLC18320-25BI,动态随机存取存储器 576Mbit x18 Common I/O 400MHz Leaded IT
【ISSI】IS49NLC18320-25BL,动态随机存取存储器 576Mbit x18 Common I/O 400MHz
【ISSI】IS49NLC18320-25BLI,动态随机存取存储器 576Mbit x18 Common I/O 400MHz IT
【ISSI】IS49NLC18320-33B,动态随机存取存储器 576Mbit x18 Common I/O 300MHz Leaded