| 描述 | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576Mb | 存储器组织 | 64M x 9 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 300 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 20 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 144-TWBGA（11x18.5） |
【ISSI】IS49NLS18160-25B,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded
【ISSI】IS49NLS18160-25BI,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT
【ISSI】IS49NLS18160-25BL,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz
【ISSI】IS49NLS18160-25BLI,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz IT
【ISSI】IS49NLS18160-33B,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded
【ISSI】IS49NLS18160-33BI,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT
【ISSI】IS49NLS18160-33BL,动态随机存取存储器 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz
