| 描述 | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576Mb | 存储器组织 | 64M x 9 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 20 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 144-TWBGA（11x18.5） |
【ISSI】IS49RL18320-093BL,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL18320-093BLI,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL18320-093EBL,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL18320-093EBLI,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz
【ISSI】IS49RL18320-107BL,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
【ISSI】IS49RL18320-107BLI,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
