| 描述 | RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, C | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | RLDRAM 3 |
| 存储容量 | 1.152Gb | 存储器组织 | 64M x 18 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 1.066 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | 8 ns |
| 电压 - 供电 | 1.28V ~ 1.42V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 168-LBGA |
| 供应商器件封装 | 168-FBGA（13.5x13.5） |
【ISSI】IS49RL36160-093BL,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL36160-093BLI,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL36160-093EBL,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
【ISSI】IS49RL36160-093EBLI,动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
