描述 | 静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
---|---|---|---|
Supply Voltage - Min | 3.135 V | 最大工作电流 | 15 mA |
最大工作温度 | + 70 C | 最小工作温度 | 0 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TSOP-44 |
接口 | Parrallel | 最大时钟频率 | 100 MHz |
端口数量 | 1 | 工厂包装数量 | 135 |
类型 | Asynchronous |
元件向导,同时在signals选项卡中添加端口信号。由于需要将紧耦合存储器中的数据写到fifo中,因此,fifo的接口信号有写使能addr和32位写数据接口writedata等,且时钟和处理器的时钟信号相同。fifo作为外设存储器设备,其地址对齐方式一般选择动态地址对齐。通过实验验证fifo的时序符合要求后,即可将紧耦合数据存储器中的数据写到fifo。图3所示是将紧耦合数据存储器中的数据写人fifo的时序验证。 4 sram的接口设计 本设计中的sram采用的是issi公司的is61lv25616al-10tl型16位高速异步sram,它属于存储器型外设,因此,地址对齐方式选择动态地址对齐。sram可通过avalon三态从端口与avalon交换架构相连接。图4所示是sram在系统中的位置示意图。 avalon的三态特性允许基于avalon的系统直接与片外设备相连接,例如存储器芯片或一个外部处理器。avalon三态从端口允许avalon switchfabric与pcb板上共享的地址和数据总线的片外设备进行接口,可用于将avalon switch fabric与同步和异步存储器芯片的连接。三态 ...
【ISSI】IS61LV25616AL-10TLI,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TLI-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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