描述 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 同步,SDR |
存储容量 | 9Mb | 存储器组织 | 512K x 18 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 3.1 ns |
电压 - 供电 | 3.135V ~ 3.465V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 100-LQFP |
供应商器件封装 | 100-LQFP(14x20) |
【ISSI】IS61NLP51236-200B3,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61NLP51236-200B3LI,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61NLP51236-200B3LI-TR,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61NLP51236-200B3-TR,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61NLP51236-200TQI,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz 3.3v/2.5v I/O
【ISSI】IS61NLP51236-200TQI-TR,静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz 3.3v/2.5v I/O