描述 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 同步,SDR |
存储容量 | 18Mb | 存储器组织 | 512K x 36 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 133 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | 6.5 ns |
电压 - 供电 | 2.375V ~ 2.625V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 165-TBGA |
供应商器件封装 | 165-TFBGA(13x15) |
【ISSI】IS61NVF51236-6.5TQL,静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v
【ISSI】IS61NVF51236-6.5TQL-TR,静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v
【ISSI】IS61NVF51236-7.5TQI,静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v
【ISSI】IS61NVF51236-7.5TQI-TR,静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v