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IS61NVP51236-200B3LI

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系列：-
包装：托盘
产品状态：停产

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产品属性

描述	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA	存储器类型	易失
存储器格式	SRAM	技术	SRAM - 同步，SDR
存储容量	18Mb	存储器组织	512K x 36
存储器接口	并联	时钟频率	200 MHz
写周期时间 - 字，页	-	访问时间	3.1 ns
电压 - 供电	2.375V ~ 2.625V	工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	165-TBGA
供应商器件封装	165-TFBGA（13x15）

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