| 描述 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4Mb | 存储器组织 | 256K x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns | 访问时间 | 10 ns |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
【ISSI】IS61WV25616BLL-10TL,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV25616BLL-10TLI,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV25616BLL-10TLI-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV25616BLL-10TL-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV25616BLS-25TLI,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 25ns 2.4V-3.6V
【ISSI】IS61WV25616BLS-25TLI-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 25ns 2.4V-3.6V
